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核心職責(zé)：
1. 射頻電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)：
負(fù)責(zé)半導(dǎo)體級(jí)射頻電源（典型頻率 13.56MHz， 27MHz， 40MHz， 60MHz等）的整體系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)，包括功率級(jí)拓?fù)洌ㄈ鏑lass D, E, F, 或LLC等）、匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、控制回路架構(gòu)等。
深入理解并優(yōu)化射頻電源在復(fù)雜等離子體負(fù)載下的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性、穩(wěn)定性、效率及輸出精度（功率/電壓/電流）。
定義關(guān)鍵性能指標(biāo)（KPIs）如功率穩(wěn)定性、頻率精度、諧波失真、效率、可靠性等，并主導(dǎo)實(shí)現(xiàn)方案。
2. 核心算法研究與開發(fā)：
設(shè)計(jì)、開發(fā)并優(yōu)化射頻電源的核心控制算法，包括但不限于： 高級(jí)阻抗匹配算法 (自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò)調(diào)諧)。高精度、高速的功率/電壓/電流閉環(huán)控制算法 (如自適應(yīng)PID、模型預(yù)測控制MPC等)。
等離子體狀態(tài)監(jiān)測與診斷算法(如V/I相位檢測、諧波分析、穩(wěn)定性監(jiān)控)。 抗干擾算法及故障保護(hù)策略。負(fù)責(zé)算法的仿真（如MATLAB/Simulink, PLECS）
3. 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)與項(xiàng)目管理：
組建、領(lǐng)導(dǎo)和管理射頻電源研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，明確技術(shù)路線，分配任務(wù)，指導(dǎo)團(tuán)隊(duì)成員工作。
主導(dǎo)射頻電源相關(guān)研發(fā)項(xiàng)目的規(guī)劃、執(zhí)行、風(fēng)險(xiǎn)管控與交付，確保項(xiàng)目按時(shí)按質(zhì)達(dá)成目標(biāo)。
負(fù)責(zé)關(guān)鍵技術(shù)難題的攻關(guān)與解決。

4. 跨部門協(xié)作與產(chǎn)品化：
與硬件（功率器件、高頻磁元件、PCB設(shè)計(jì)）、軟件（嵌入式、上位機(jī)）、工藝應(yīng)用等團(tuán)隊(duì)緊密協(xié)作，確保系統(tǒng)設(shè)計(jì)與算法方案的工程可實(shí)現(xiàn)性及與半導(dǎo)體工藝需求的完美匹配。
主導(dǎo)或深度參與射頻電源樣機(jī)的設(shè)計(jì)、調(diào)試、測試驗(yàn)證（實(shí)驗(yàn)室及客戶端現(xiàn)場）。支持產(chǎn)品轉(zhuǎn)產(chǎn)，解決量產(chǎn)過程中的技術(shù)問題。
5. 任職要求：
電子工程、微電子等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷。
碩士5年以上射頻電源研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，深刻理解射頻功率放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)原理及設(shè)計(jì)。
精通半導(dǎo)體制造設(shè)備（如刻蝕機(jī)、PVD、CVD、離子注入等）中射頻電源的應(yīng)用場景、技術(shù)挑戰(zhàn)及性能要求。
豐富的射頻電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，能獨(dú)立完成從規(guī)格定義到架構(gòu)選型、關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)。
在射頻電源核心控制算法（如阻抗匹配、高精度功率控制、穩(wěn)定性控制）方面有成功的設(shè)
計(jì)、實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化經(jīng)驗(yàn)。熟練掌握相關(guān)仿真工具。
深入理解高頻功率器件、高頻磁元件（變壓器、電感）、射頻測量技術(shù)。
有國內(nèi)外射頻電源供應(yīng)商（如MKS, AE，英杰，廣能達(dá)）相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
在等離子體物理或等離子體與射頻功率耦合、射頻電源方面有深入研究或經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。