功率器件測(cè)試技術(shù)員
面議
東莞
應(yīng)屆畢業(yè)生
學(xué)歷不限
東莞
應(yīng)屆畢業(yè)生
學(xué)歷不限
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東莞
應(yīng)屆畢業(yè)生
學(xué)歷不限
東莞
應(yīng)屆畢業(yè)生
學(xué)歷不限
職位描述
該職位還未進(jìn)行加V認(rèn)證,請(qǐng)仔細(xì)了解后再進(jìn)行投遞!
崗位職責(zé):
1.日常Si基功率器件(IGBT/FRD單管,Si基功率模組)性能測(cè)試,包含靜態(tài)測(cè)試、雙脈沖測(cè)試、UIS測(cè)試、浪涌測(cè)試等;
2.負(fù)責(zé)相關(guān)測(cè)試數(shù)據(jù)的梳理和統(tǒng)計(jì);
3.負(fù)責(zé)物料挑料、轉(zhuǎn)移等;
4.實(shí)驗(yàn)室日常EHS、8S等工作的配合工作;
任職要求:
1.電子、半導(dǎo)體、測(cè)試測(cè)量及自動(dòng)化相關(guān)專業(yè),統(tǒng)招大專及以上學(xué)歷;
2.學(xué)習(xí)能力強(qiáng),可以快速掌握實(shí)驗(yàn)測(cè)試測(cè)量設(shè)備;
3.敬業(yè)負(fù)責(zé)、耐心細(xì)致,具有良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神,吃苦耐勞;
4.有工作經(jīng)驗(yàn)者,有半導(dǎo)體功率器件或集成電路制造廠經(jīng)驗(yàn)的優(yōu)先;有Si基功率器件測(cè)試經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先;有Si基功率器件測(cè)試系 統(tǒng)搭建經(jīng)驗(yàn)的優(yōu)先。
1.日常Si基功率器件(IGBT/FRD單管,Si基功率模組)性能測(cè)試,包含靜態(tài)測(cè)試、雙脈沖測(cè)試、UIS測(cè)試、浪涌測(cè)試等;
2.負(fù)責(zé)相關(guān)測(cè)試數(shù)據(jù)的梳理和統(tǒng)計(jì);
3.負(fù)責(zé)物料挑料、轉(zhuǎn)移等;
4.實(shí)驗(yàn)室日常EHS、8S等工作的配合工作;
任職要求:
1.電子、半導(dǎo)體、測(cè)試測(cè)量及自動(dòng)化相關(guān)專業(yè),統(tǒng)招大專及以上學(xué)歷;
2.學(xué)習(xí)能力強(qiáng),可以快速掌握實(shí)驗(yàn)測(cè)試測(cè)量設(shè)備;
3.敬業(yè)負(fù)責(zé)、耐心細(xì)致,具有良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神,吃苦耐勞;
4.有工作經(jīng)驗(yàn)者,有半導(dǎo)體功率器件或集成電路制造廠經(jīng)驗(yàn)的優(yōu)先;有Si基功率器件測(cè)試經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先;有Si基功率器件測(cè)試系 統(tǒng)搭建經(jīng)驗(yàn)的優(yōu)先。
工作地點(diǎn)
地址:東莞東莞華為溪流背坡村E區(qū)3
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詳細(xì)位置,可以參考上方地址信息
以擔(dān)?;蛉魏卫碛伤魅∝?cái)物,扣押證照,均涉嫌違法,請(qǐng)?zhí)岣呔?
職位發(fā)布者
1810..HR
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2025-12-23 19:24:40
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